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COOLMOS

Cool-Mos

  • 發(fā)布時(shí)間:2020-09-10 09:31:53
  • Cool-Mos是英飛凌推出的新產(chǎn)品,其中C3系列是最有代表性,因?yàn)槠湫阅軈?shù)都比別的品牌好,但價(jià)格相當(dāng)高。
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對于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu), Rdson 與BV 這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI 參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI 參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調(diào)和,這就是常規(guī)VDMOS的局限性。但是對于COOLMOS,這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過設(shè)置一個(gè)深入EPI 的的P 區(qū),大大提高了BV,同時(shí)對Rdson 上不產(chǎn)生影響。對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N 型EPI 與body區(qū)界面的PN 結(jié),對于一個(gè)PN 結(jié),耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積。常規(guī)VDSMO,P body 濃度要大于N EPI,大家也應(yīng)該清楚,PN 結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body 區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,基本對承壓沒有多大貢獻(xiàn),承壓主要是P body--N EPI 在N 型的一側(cè)區(qū)域,這個(gè)區(qū)域的電場強(qiáng)度是逐漸變化的,越是靠近PN 結(jié)面,電場強(qiáng)度E 越大。對于COOLMOS 結(jié)構(gòu),由于設(shè)置了相對P body 濃度低一些的P region 區(qū)域,所以P 區(qū)一側(cè)的耗盡區(qū)會大大擴(kuò)展,并且這個(gè)區(qū)域深入EPI 中,造成了PN 結(jié)兩側(cè)都能承受大的電壓,換句話說,就是把峰值電場Ec 由靠近器件表面,向器件內(nèi)部深入的區(qū)域移動了。

Cool-MOS的優(yōu)勢

1.通態(tài)阻抗小,通態(tài)損耗小。

由于SJ-MOS 的Rdson 遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS,在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中SJ-MOS 的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET 的導(dǎo)通損耗,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率,SJ-MOS的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上,優(yōu)勢表現(xiàn)的尤為突出。

2.同等功率規(guī)格下封裝小,有利于功率密度的提高。

首先,同等電流以及電壓規(guī)格條件下,SJ-MOS 的晶源面積要小于VDMOS 工藝的晶源面積,這樣作為MOS 的廠家,對于同一規(guī)格的產(chǎn)品,可以封裝出來體積相對較小的產(chǎn)品,有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。

其次,由于SJ-MOS 的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗,因?yàn)檫@些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去,我們在實(shí)際中往往會增加散熱器來降低MOS 單體的溫升,使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于SJ-MOS 可以有效的減少發(fā)熱量,減小了散熱器的體積,對于一些功率稍低的電源,甚至使用SJ-MOS 后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的功率密度。

3.柵電荷小,對電路的驅(qū)動能力要求降低。

傳統(tǒng)VDMOS 的柵電荷相對較大,我們在實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會遇到由于IC 的驅(qū)動能力不足造成的溫升問題,部分產(chǎn)品在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC 的驅(qū)動能力,確保MOSFET 的快速導(dǎo)通,我們不得不增加推挽或其它類型的驅(qū)動電路,從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS 的柵電容相對比較小,這樣就可以降低其對驅(qū)動能力的要求,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。

4.節(jié)電容小,開關(guān)速度加快,開關(guān)損耗小。

由于SJ-MOS 結(jié)構(gòu)的改變,其輸出的節(jié)電容也有較大的降低,從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過程中的損耗。同時(shí)由于SJ-MOS 柵電容也有了響應(yīng)的減小,電容充電時(shí)間變短,大大的提高了SJ-MOS 的開關(guān)速度。對于頻率固定的電源來說,可以有效的降低其開通及關(guān)斷損耗。提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率。這一點(diǎn)尤其在頻率相對較高的電源上,效果更加

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